产品信息

NIR-4000 IBE/RIE双刻蚀系统

两腔均带8” RF离子源

RIE系统无法实现对像铜和金这些没有挥发性化合物的金属的刻蚀。然而，可以通过加速的Ar离子进行物理刻蚀或铣削。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。 NM所具备的技术可以控制基片的温度在50℃以内，同时旋转基片以获得想要的均匀度。 NIE-4000系统同时也可以配套RF电源用于RIBE反应离子束刻蚀。

另外，我们提供低价的NIE-3000和NIE-3500台式离子束刻蚀方案，支持4”晶圆的离子束刻蚀。

离子束刻蚀系统特点：

  · 14.5”不锈钢立方型离子束腔体

  · 12cm直流离子枪1000V，500mA，直流电机驱动不锈钢遮板（16cm离子枪可选）

  · 离子束中和器

  · 氩气MFC，可增加活性气体升级为RIBE系统

  · 冷却水冷却（背氦冷却可选）

  · 旋转样品台/倾斜样品台，步进电机控制

  · 手动或自动上下载晶圆片

  · 通常刻蚀速率：20nm/min Cu, 50nm/min Si

  · 4”范围内，刻蚀均匀度优于+/-3%

  · 20mins达到5×10-6Torr，2天达到极限真空2×10-7Torr，配套680 l/sec的涡流分子泵

  · 配套1240l/sec的涡流分子泵，极限真空可达8×10-8Torr

  · SiN4磁控溅射保护被刻蚀金属表面，以防氧化

  · 基于LabVIEW软体的电脑全自动工艺控制

  · 功能表驱动，密码保护，完全的安全联锁

NIE-4000离子铣系统

带6” DC离子源及自动上下片功能