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PECVD等离子体化学气相沉积

NANO-MASTER PECVD系统能够在直径12”的基片上沉积高品质的SiO2，Si3N4或DLC等薄膜。系统使用RF淋浴头电极或中空阴极RF等离子源产生等离子体。

样品台可通过RF或脉冲DC电源产生偏压，支持加热和冷却。配套分子泵与机械泵串接可抽真空至10-7Torr或更低的真空。

标准配置包含一路惰性气体、三路反应气体，配套四个MFC品质流量控制器。平面中空的阴极等离子源凭借其独特的气体分布系统，可以满足广泛的要求：比如等离子体的密度、均匀性以及活性组份的分别活化等，覆盖了最广的可能沉积参数。

特点：

  · 不锈钢/铝质腔体

  · 极限真空压力范围10-7Torr

  · RF淋浴头/HCD/ICP/微波源

  · 高达12”直径的样品台

  · RF偏压样品台

  · 水冷样品台

  · 可加热到950℃样品台

  · 气体管路可加热至130℃

  · 加热的液体传输单元

  · 抗腐蚀的涡流分子泵组

  · 气动控制阀

  · 基于LabVIEW软体的PC控制

  · 功能表驱动，密码保护

  · 完全的安全联锁

  · 一路载气，三路反应气

  · 电脑控制品质流量控制器

  · 最大可支援8路MFC，带安全气柜及气体歧管

  · 预真空锁及自动上下载片

应用：

  · 等离子诱导表面改性

  · 等离子清洗

  · 等离子聚合

  · SiO2,Si3N4或DLC及其它薄膜

  · CNT和石墨烯的选择性生长