刻蚀系统
HF气相释放系统
XeF2气相释放系统
离子铣系统
刻蚀系统
刻蚀双系统
晶圆处理平台
等离子蚀刻涉及对选定的气体混合物进行射频激发，以产生具有正确反应性物质的等离子，从而蚀刻晶片表面上的任何未掩蔽区域。反应形成挥发性副产物，通过真空泵将其除去。
满足批量制造、试生产和研发应用的要求，提供蚀刻和沉积工艺技术
反应离子刻蚀系统
等离子切割系统
使用深度反应离子蚀刻 (DRIE) 处理的等离子切割作为使用锯片或激光的传统切割方法的可行替代方案，在半导体行业中得到迅速认可
用于去除氧化层的干法 HF 蒸汽蚀刻工艺
使用二氟化氙对硅进行各向同性蚀刻是释放MEMS或光子器件的理想解决方案
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